氧化鋯陶瓷等離子體加熱原理

　　氧化鋯陶瓷等離子體加熱原理

　　氧化鋯陶瓷等離子體燒結是指利用氣體放電時(shí)形成的高溫和電子能量以及可控氣氛對材料進(jìn)行燒結。

　　由于氧化鋯陶瓷等離子體瞬間即可達到高溫，因而其升溫速率可達1000℃/min以上，所以氧化鋯陶瓷等離子體燒結技術(shù)是一種比較新的實(shí)驗室用無(wú)壓快速高溫燒結技術(shù)。

　　這一方法于1968年被首次用于A(yíng)1203陶瓷的燒結，經(jīng)過(guò)二十多年的發(fā)展，這種方法現已成功地用于各種精細陶瓷，如AI2()3、Y2()3Zr()2、Mg0、SiC等的燒結。

　　氧化鋯陶瓷等離子體燒結特點(diǎn)

　?、贉囟雀撸蛇_2000IC或更高），升溫速率快（可達100℃/s）；

　?、跓Y速度快，約0.5mln之內即可將樣品燒結；

　?、蹮Y速度快能夠有效抑制樣品的晶粒生長(cháng)，但同時(shí)可能造成樣品內外溫度梯度及顯微結構的不均勻；

　?、苓^(guò)快的升溫可能使一些熱脹系數較大、收縮量較大的物件在升溫收縮過(guò)程中開(kāi)裂；

　?、莞鶕入x子體形狀，目前以燒結棒狀或管狀樣晶較為合適。