碳化硅陶瓷環(huán)的優(yōu)勢及其簡(jiǎn)介

上面幾篇文章科眾陶瓷廠(chǎng)帶大家了解了氮化硅陶瓷的一些性能以及其優(yōu)勢，碳化硅因跟氮化硅的組成元素有一個(gè)不同，所以導致它們性能也有所不同，接下來(lái)讓給我們一起了解下碳化硅陶瓷以及用碳化硅做成的陶瓷環(huán)。

碳化硅陶瓷環(huán)

碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性強,耐暦性能好,硬度高,熱穩定性好,高溫強度大,熱膨脹系數小,熱導率大以及抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性。用碳化硅制成的陶瓷環(huán)同樣具備碳化硅陶瓷的多種優(yōu)良性能

因此,已經(jīng)在石油、化工、機械、航天、核核能等領(lǐng)域大顯身手,日益受到人們的重視?？筛鶕蛻?hù)要求進(jìn)行結構陶瓷加工。例例如,SiC陶瓷可用作各類(lèi)軸承、滾珠、噴嘴、密封件、、切切削工具、燃汽渦輪機葉片、渦輪增壓器轉子、反射屏和火箭燃燒室內襯等等。并且可根據客戶(hù)要求進(jìn)行結構陶瓷加工。

SiC陶瓷的優(yōu)異性能與其獨特結構密切相關(guān)。SiC是共價(jià)鍵很強的化合物,SiC中Si-C鍵的離子性?xún)H12%左右。因此,SiC強度高、彈彈性模量大,具有優(yōu)良的耐磨損性能。純SiC不會(huì )被HCI、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時(shí)易發(fā)生氧化,但氧化時(shí)表面形成的SiO2會(huì )抑制氧的進(jìn)一步擴散,故氧化速率并不高。在電性能方面,SiC具有半導體性,少量雜質(zhì)的引入會(huì )表現出良好的導電性。此外,SiC還有優(yōu)良的導熱性。

碳化硅陶瓷環(huán)

SiC具有a和β兩種晶型。β-SiC的晶體結構為立方晶系,Si和C分別組成面心立方晶格;a-SiC存在著(zhù)4H、15R和6H等100余種多型體,其中,6H多型體為工業(yè)應用上最為普遍的一種。

在SiC的多種型體之間存在著(zhù)一定的熱穩定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時(shí),SiC以β-SiC形式存在。當高于1600℃時(shí),β-SiC緩慢轉變成a-SiC的各種多型體。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型體均需在2100℃C以上的高溫才易生成;對于6H-SiC,即使溫度超過(guò)2200C,也是非常穩定的。SiC中各種多型體之間的自由能相差很小,因此,做量雜質(zhì)的固溶也會(huì )引起多型體之間的熱穩定關(guān)系変化。所以由此觀(guān)之碳化硅陶瓷同樣可作于耐高溫工業(yè)陶瓷。