碳化硅工業陶瓷的第二種燒結方法為熱壓燒結，此種方法優勢顯著但其缺點也比較明顯其過程和設備較復雜，科眾陶瓷廠帶大家一起來了解下吧！
熱壓燒結（Hot Pressed Sintering）將干燥粉料充填入模型內，再從單軸方向邊加壓邊加熱，使成型和燒結同時完成的一種燒結方法。
不同燒結方法性能對照表
50年代中期,美國 Norton公司就開始研究B、Ni、Cr、Fe、A?等金屬添加物對SiC熱壓燒結的影響。實驗表明明:AI和Fe是促進SiC熱壓致密化的有效的添加劑有研究者以AI2O3為添加劑,通過熱壓燒結工藝,也實現了SiC的致密化,并認為其機理是液相燒結。此外,還有研究者分別以B4C、B或B與C,Al203和C、AI203和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑,采用熱壓燒結,也都獲得了致密SiC陶瓷。
熱壓燒結介紹：
熱壓燒結（Hot Pressed Sintering）將干燥粉料充填入模型內，再從單軸方向邊加壓邊加熱，使成型和燒結同時完成的一種燒結方法。
不同燒結方法性能對照表
熱壓燒結的特點：熱壓燒結由于加熱加壓同時進行，粉料處于熱塑性狀態，有助于顆粒的接觸擴散、流動傳質過程的進行，因而成型壓力僅為冷壓的1/10；還能降低燒結溫度，縮短燒結時間，從而抵制晶粒長大，得到晶粒細小、致密度高和機械、電學性能良好的產品。無需添加燒結助劑或成型助劑，可生產純度的陶瓷產品。熱壓燒結的缺點是過程及設備復雜，生產控制要求嚴，模具材料要求高，能源消耗大，生產效率較低，生產成本高
50年代中期,美國 Norton公司就開始研究B、Ni、Cr、Fe、A?等金屬添加物對SiC熱壓燒結的影響。實驗表明明:AI和Fe是促進SiC熱壓致密化的有效的添加劑有研究者以AI2O3為添加劑,通過熱壓燒結工藝,也實現了SiC的致密化,并認為其機理是液相燒結。此外,還有研究者分別以B4C、B或B與C,Al203和C、AI203和Y2O3、Be、B4C與C作添加劑,采用熱壓燒結,也都獲得了致密SiC陶瓷。
碳化硅陶瓷環
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本文“碳化硅陶瓷燒結工藝---熱壓燒結（圖）”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時間：2021-10-16 14:41:51
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