工業(yè)陶瓷氮化鋁具有非常優(yōu)越的導熱性能，所以它常被用來(lái)作陶瓷基片或者陶瓷基板，可用于一些集成電路中，下面科眾陶瓷廠(chǎng)會(huì )給大家介紹其粉體原料的制備工藝。
氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的導熱性能，熱膨脹系數接近硅且無(wú)毒，被視為新一代電子封裝材料，非常適用于混合功率開(kāi)關(guān)的封裝以及微波真空管封裝殼體材料，同時(shí)也是大規模集成電路基片的理想的材料，這也是AIN陶瓷的主要用途。
氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的導熱性能，熱膨脹系數接近硅且無(wú)毒，被視為新一代電子封裝材料，非常適用于混合功率開(kāi)關(guān)的封裝以及微波真空管封裝殼體材料，同時(shí)也是大規模集成電路基片的理想的材料，這也是AIN陶瓷的主要用途。
一塊高導熱氮化鋁陶瓷基片的制備工藝主要由：氮化鋁粉體制備、成型工藝和燒結工藝這三個(gè)方面有關(guān)。
氮化鋁陶瓷基板：適用于大功率LED封裝散熱基板、IGBT功率模塊以用薄膜印刷電路
一、粉體制備
氮化鋁陶瓷的優(yōu)良性能與原材料粉體的性能有著(zhù)直接的關(guān)系，高性能AIN粉體是制備高熱導率AIN陶瓷的關(guān)鍵。制備AIN粉體的方法有很多種（見(jiàn)下表1），也都存在各自的不足，但他們都有一個(gè)共同點(diǎn)就是成本較高。
一、粉體制備
氮化鋁陶瓷的優(yōu)良性能與原材料粉體的性能有著(zhù)直接的關(guān)系，高性能AIN粉體是制備高熱導率AIN陶瓷的關(guān)鍵。制備AIN粉體的方法有很多種（見(jiàn)下表1），也都存在各自的不足，但他們都有一個(gè)共同點(diǎn)就是成本較高。
綜合來(lái)看，氧化鋁粉碳熱還原法和鋁粉直接氮化法比較成熟，已經(jīng)用于工業(yè)化大規模生產(chǎn)，成為當前高性能AIN陶瓷原料的主流制備工藝。目前掌握高性能AIN粉生產(chǎn)技術(shù)的廠(chǎng)家并不多，主要分布在日本、德國和美國。
這其中日本德山曹達公司采用的氧化鋁粉碳熱還原法生產(chǎn)的AIN粉被全球公認為質(zhì)量最好，性能最穩定，基本占據了AIN粉市場(chǎng)。日本東芝，京瓷公司，住友電子等大部分基板和封裝都在使用該AIN粉。此外，美國DOW化學(xué)公司也掌握了氧化鋁粉碳熱還原法生產(chǎn)AIN粉技術(shù)。日本東洋鋁公司則采用成本相對較低的鋁粉直接氮化法生產(chǎn)AIN粉，性能也挺好，熱導率也能穩定在170W/m•K以上。優(yōu)質(zhì)的AIN粉及品質(zhì)一般的氮化鋁粉的區別見(jiàn)下表分析。
地址：http://www.allthatrentals.com/jishu/1615.html
本文“工業(yè)陶瓷氮化鋁粉體原料制備工藝介紹”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時(shí)間：2021-10-16 14:46:42
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