氧化鋯陶瓷的燒結溫度與密度的關(guān)系

氧化鋯陶瓷的密度為6.05g/m3左右，但其實(shí)它不是一個(gè)固定值，它的密度隨著(zhù)燒結溫度的變化會(huì )有輕微改變，下面科眾陶瓷廠(chǎng)給大家詳細分析一下。

密度與晶粒的變化是燒結過(guò)程中最基本的變化。圖3－10是材料相對密度與燒結溫度的關(guān)系。從圖3－10可見(jiàn)，和普通陶瓷一樣，納米Y－TZP陶瓷的無(wú)壓燒結大致也可分為三個(gè)階段：

99氧化鋁法蘭盤(pán)加工

①燒結初期從室溫到1000℃之前，坯體的相對密度只從47％增加到62％，變化較小。

②燒結中期。燒燒結溫度在1000～150℃之間，坯體的密度迅速提高到96％以上。

③燒結后期。燒結溫度高于1150℃，坯體接近致密化。圖3－11是材料晶粒生長(cháng)與燒結溫度的關(guān)系。

從圖3－11可看到，晶粒生長(cháng)可分為兩個(gè)階段。在溫度低于1300℃時(shí)，晶粒生長(cháng)比較緩慢；而溫度繼續升高時(shí)，晶粒迅速生長(cháng)。比較圖3－10和圖3－11可以發(fā)現，在950～1300℃之間，雖然材料已基本致密，但晶粒并未迅速長(cháng)大，這與一般經(jīng)典理論所說(shuō)的燒結末期晶粒迅速長(cháng)大似乎不大相符。

其原因可能是：由于納米Y－TZP材料在1100℃以上燒結時(shí)，晶粒中的Y＋會(huì )向晶界析出，并在晶界富集，從而阻止了晶粒長(cháng)大，因此在一定濕度下，即使在燒結后期，晶粒生長(cháng)也會(huì )受到抑制。有人認為，納米Y－TZP的燒結中期與后期，晶粒生長(cháng)指數m都為3，即遵循相同的擴散形式，這也可部分解釋圖3－11的結果。

較圖3－10和圖3－11可知，在1150℃時(shí)可獲得燒結相對密度達97．5％，晶粒大小僅90nm左右的納米YTZP材料。

氧化鋯陶瓷的特殊密度導致了它的優(yōu)良性能，所以很適合用來(lái)加工成各類(lèi)陶瓷零件。